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晶圆代工龙头台积电于23日举办的2026年北美技能论坛上，展示了开始进的A13工艺技能的最新立异结果。台积电暗示，这是继2025年发布业界领先的A14工艺以后，台积电在2026年新推出的A13工艺的直接进级。该技能实现了更精简且更高效的设计，以满意客户对于下一代人工智能、高机能计较以和挪动运用不停增加的算力需求。

台积电指出，A13代表了台积电对于连续立异的承诺。相较在A14，A13节省了6%的芯单方面积，其设计法则也与A14彻底向下兼容，使客户可以或许迅速将其设计进级至台积电最新的纳米片晶体管技能。此外，A13经由过程设计与工艺协同优化（DTCO），提供了分外的能效和机能晋升。A13估计将在2029年（即A14量产后的一年）正式投入出产。

A13是台积电于加州圣克拉拉市进行的北美技能论坛中所发布的重点技能立异之一，该论坛也为台积电将来几个月于全世界各地举办的技能论坛揭开了序幕。2026年的技能论坛以“以领先硅技能拓展人工智能（Expanding AI with Leadership Silicon）”为主题，是台积电今年度范围最年夜的客户勾当，周全展示了公司最新的技能成长及制造办事。

台积电董事长兼首席履行官魏哲家暗示：“台积电的客户老是着眼在将来的立异，他们期待咱们能连续提供靠得住的新技能（例如A13），并但愿这些精心构建的技能可以或许于客户前瞻性的新设计有需求时，和时就绪并投入量产。台积电的进步前辈工艺技能于密度、机能及能效方面均引领业界，但咱们仍于不停寻觅优化的要领，以更好地撑持客户的将来产物。作为客户最靠得住的技能伙伴，咱们将全力确保客户的乐成。”

其他于北美技能论坛上发布的新技能：

进步前辈逻辑技能：

●除了了A13以外，台积电还有强化了其A14平台并预报了A12技能。A12将采用台积电超等电轨（Super Power Rail）技能，为人工智能和高机能计较运用提供反面供电，估计在2029年投入出产。

●台积电连续推进其N2平台并推出N2U技能。该技能采用了设计与工艺协同优化，相较在N2P，其速率可晋升3-4%或者功耗降低8-10%，逻辑密度晋升2-3%。N2U依托N2技能平台的制程成熟度与高良率体现，成了撑持人工智能、高机能计较和挪动运用的平衡之选。N2U估计在2028年最先出产。

台积电3DFabric进步前辈封装和3D硅重叠：

●为满意人工智能对于单一封装中更高算力和内存的需求，台积电连续扩大其CoWoS技能以整合更多的硅片。台积电今朝正于出产5.5倍掩模版尺寸的CoWoS，并正于计划更年夜尺寸的版本。一款14倍掩模版尺寸的CoWoS可以或许整合约10个年夜型运算芯粒及20个高带宽内存（HBM）重叠，估计将在2028年最先出产。

台积电随后将在2029年推出年夜在14倍掩模版尺寸的CoWoS。这些新技能为客户于晋升AI算力方面提供了更多选择，并与台积电一样估计在2029年推出的40倍掩模版尺寸SoW-X体系级晶圆技能形成互补。

●台积电也将于其开始进的技能平台上推出体系集成芯片（TSMC-SoIC）3D芯片重叠技能。A14与A14的SoIC估计在2029年投入出产，其芯粒间（Die-to-Die）I/O密度是N2与N2 SoIC技能的1.8倍，可撑持重叠芯片之间更高的数据传输带宽。

●台积电的紧凑型通用光子引擎（TSMC-COUPE™）将告竣要害性的里程碑，采用COUPE于基板上（COUPE on substrate）的真实的共封装光学（CPO）解决方案估计在2026年最先出产。

相较在主板上的可插拔解决方案，此项新技能经由过程将COUPE光子引擎直接集成到封装内部，可提供2倍的能效并削减90%的延迟。该技能今朝已经运用在200Gbps微环调制器（MRM），成了数据中央机架之间数据传输的一种高度精简且节能的解决方案。

汽车和呆板人：

●进步前辈驾驶辅助体系（ADAS）及主动驾驶汽车需方法先的技能以和严酷的质量及靠得住性尺度。物理人工智能（或者称“具身智能”，Physical AI）运用（例如人形呆板人）也一样有着近似严苛的要求。为满意这些需求，台积电公布推出N2A，这是业界首款采用纳米片晶体管的汽车工艺技能。

相较在N3A，N2A于不异功耗下速率将晋升15-20%，估计在2028年完成AEC-Q100尺度认证。此外，台积电于N2P制程设计套件（PDK）中提供了“车用”设计套件，让客户于设计阶段就能考量汽车的现实利用前提，从而于N2A工艺技能取患上彻底认证条件早启动设计事情。

●N3A将在2026年投入出产，这注解台积电于助力客户加快汽车产物周期方面的努力已经见成效。经由过程N3的“Auto Early”规划，客户早于2023年便可最先设计，如今已经有跨越10个客户产物是基在N3A工艺技能举行计划的，致力在让汽车变患上更智能、更环保、更安全。

特点工艺技能：

●台积电是首家在2026年将高压技能引入FinFET世代的公司，其N16HV工艺技能重要用在撑持显示驱动运用。针对于智能手机显示驱动芯片，相较在台积电的N28HV工艺，N16HV的栅极密度增长了41%，功耗降低了35%。针对于近眼显示器，N16HV能将芯单方面积（Die area）缩小40%，功耗降低跨越20%，年夜幅加强了智能眼镜等装备的实用性与续航体现。